ИТ Главная страница Согласно новостям от 7 мая, компания Si LAI представила новое поколение оборудования для скрытой лазерной резки карбида кремния (SiC) со скоростью 10 мин/шт на Форуме Цзюфэншань 2026, проходившем в Ухане в конце апреля. Он предназначен для обработки слитков SiC диаметром 8/12 дюйма.По сравнению с оборудованием предыдущего поколения(15 мин/шт.)на 50% быстрее。
Компания Silicon Semiconductor заявила, что ее машина для скрытой лазерной резки нового поколения с производительностью 10 минут на деталь может сократить время резки, продолжая при этом контролировать эффект отслаивания и последующую консистенцию срезов, а также стараться не сжимать последующие технологические окна, такие как шлифовка и полировка, эпитаксия и т. д.Улучшение производительности не происходит за счет инженерной стабильности.выход массового производства составляет >98%.
Отказ от ответственности: внешние ссылки перехода (включая, помимо прочего, гиперссылки, QR-коды, пароли и т. д.), содержащиеся в статье, используются для передачи дополнительной информации и экономии времени выбора. Результаты предназначены только для справки. Это утверждение содержится во всех статьях IT House.
