ИТ-домой Согласно новостям от 20 июня, Институт микроэлектроники Китайской академии наук объявил 17 июня, что команда Национальной ключевой лаборатории технологии производства интегральных схем совместно с Пекинским научно-исследовательским институтом суперструнных устройств добилась нового прогресса в исследовании трехмерной динамической оперативной памяти 2T0C (3D DRAM) на основе IGZO (индий-галлий), предложенной IGZO (предлагается индий-галельный и с высоким содержанием цинка). трехмерное интеграционное решение, основанное на структуре блока 2T0C, впервые демонстрирующее четырехслойную трехмерную структуру 2T0C.
Соответствующий документ «3D DRAM с высокой степенью стекирования с двойным затвором IGZO 2T0C с записью 3 бита на ячейку и сохранением данных 400 с» был выбран для симпозиума IEEE 2026 года по технологиям и схемам СБИС (VLSI 2026).
Поскольку приложения искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений продолжают развиваться, спрос отрасли на память большой емкости и с высокой пропускной способностью продолжает расти. Традиционная SRAM ограничена структурой ячеек 6T, что затрудняет размещение более высокой емкости хранения; внекристальная DRAM повлияет на производительность полосы пропускания из-за увеличения задержки доступа.
По мнению исследовательской группы, архитектура 2T0C, основанная на IGZO, может быть интегрирована во внутренний процесс логических микросхем и считается техническим решением, учитывающим как высокую производительность, так и высокую пропускную способность.
Однако существующие исследования DRAM 2T0C в основном сосредоточены на планарной архитектуре и вертикальной архитектуре 4F². По-прежнему не хватает решений для трехмерной интеграции, которые могут обеспечить одноэтапное многослойное штабелирование, что ограничивает дальнейшее улучшение плотности хранения. Это исследование сосредоточено вокруг этой проблемы.
Новая 3D DRAM, предложенная исследовательской группой, использует как архитектуру вертикальной словной строки, так и конструкцию ячеек 2T0C с двойным затвором и оптимизирована с точки зрения запаса чтения, стабильности управления чтением с двойным затвором и производственных затрат.
Среди них транзистор IGZO на основе структуры с двойным затвором обеспечивает лучшую производительность и стабильность устройства. Исследователи заявили, что готовое устройство 3D 2T0C обладает как возможностями высокоскоростной записи, так и возможностями долгосрочного хранения данных — время хранения данных достигает 400 секунд и успешно обеспечивает хранение 3 бита на ячейку, что еще больше повышает общую плотность хранения.
Работу возглавляют Ляо Фуси, научный сотрудник Института микроэлектроники Китайской академии наук, и Чжу Чжэнъюн, исследователь Пекинского института суперструнных устройств, в качестве первых авторов. Ли Лин, научный сотрудник Института микроэлектроники Китайской академии наук, Ян Гуаньхуа, научный сотрудник, и Чжао Чао, научный сотрудник Пекинского института суперструнных устройств, выступают в качестве авторов-переписчиков.
Отказ от ответственности: внешние ссылки перехода (включая, помимо прочего, гиперссылки, QR-коды, пароли и т. д.), содержащиеся в статье, используются для передачи дополнительной информации и экономии времени выбора. Результаты предназначены только для справки. Это утверждение содержится во всех статьях IT House.
